«Экситон» – производитель полупроводниковых приборов, гибридных и интегральных микросхем

http://www.fabexiton.ru

Завод «Экситон» и ОКБ «Экситон» – одни из ведущих российских производителей ИМС специального назначения. Входит в число предприятий-разработчиков полупроводниковых изделий (КМОП и ТТЛ микросхем).

ОАО «ОКБ «Экситон» предоставляет услуги по проектированию, производству и поставкам интегральных микросхем, транзисторов. Важнейшим направлением работ является разработка заказных интегральных схем (ИС).

В перечень работ по производству и поставкам ИС включено:

  • подготовка необходимой оснастки;
  • изготовление шаблонов;
  • изготовление пластин, кристаллов;
  • корпусирование;
  • измерение;
  • испытания;
  • поставка с приемкой заказчика.

ОАО «ОКБ «Экситон» производит диоды и транзисторы.

Основные характеристики диодов, транзисторов:
НаименованиеФункциональное назначениеКорпусТехнические условия

Диоды
2Д706 АС9/ЭП Диодная сборка для импульсных схем КТ-46 АЕЯР.432120.348 ТУ
2Д707 АС9/ЭП Диодная сборка для импульсных схем КТ-46 АЕЯР.432120.349 ТУ
2Д803 АС9/ЭП Диодная сборка для импульсных схем КТ-46 АЕЯР.432120.350 ТУ

Транзисторы
2Т3130 А9/ЭП
2Т3130 Е9/ЭП		 Высокочастотный n-p-n транзистор малой мощности КТ-46 АЕЯР.432140.345 ТУ
2Т313 А-2/ЭП
2Т313 Б-2/ЭП		 Высокочастотный p-n-p транзистор малой мощности КТ-1 АЕЯР.432140.343 ТУ
2Т326 А-2/ЭП
2Т326 Б-2/ЭП		 Высокочастотный p-n-p транзистор малой мощности КТ-1 АЕЯР.432140.344 ТУ
2Т629 АМ-2/ЭП Высокочастотный n-p-n транзистор малой мощности бескорпусные АЕЯР.432140.346 ТУ
2Т679 А-2/ЭП
2Т679 Б-2/ЭП		 Высокочастотный n-p-n транзистор малой мощности бескорпусные АЕЯР.432140.347 ТУ

ОАО «ОКБ «Экситон» производит интегральные микросхемы серий: 564, 765, 1526, 1564. И новые микросхемы серий: 1304, 1333, 1352, 1368, 1374, 1453, 2606.

Основные характеристики некоторых микросхем:
СерияКонструктивное исполнение корпусаТип микросхемы

Стандартные цифровые логические микросхемы
564, ОСМ564, 564В, H564В, ОСМ564В Ni или Аu покрытие Бескорп. с гибк. Аu выводами АГ1, ГГ1, ИД1, ИД4, ИД5, ИЕ9, ИЕ10, ИЕ11, ИЕ14, ИЕ15, ИЕ19, ИЕ22, ИК1, ИК2, ИМ1, ИП2, ИП3, ИП4, ИП5, ИП6, ИР1, ИР2, ИР6, ИР9, ИР11, ИР12, ИР13, ИР16, КП1,КП2, КТ3, ЛА7, ЛА8, ЛА9, ЛА10, ЛЕ5, ЛЕ6, ЛЕ10, ЛН1, ЛН2, ЛП2, ЛП13, ЛС1, ЛС2, ПР1, ПУ4, ПУ6, ПУ7, ПУ8, ПУ9, РП1, РУ2, СА1, ТВ1, ТЛ1, ТМ2, ТМ3, ТР2, УМ1

Аналоговые микросхемы
1133, 198 Ni или Аu покрытие НТ1, НТ2, НТ3, НТ5, НТ6, НТ7, НТ8, УН1, УТ1

Cтабилизатор напряжения
1304 корпус типа КТ-9 ЕР1С

Операционные усилители
1407 Ni или Аu покрытие УД1, УД3
1453 Ni или Аu покрытие УД3Т, УД3Т1
Мощные ОУ 2606 3206.8-1 2606УД1C
Гибридные ИС

«Экситон» производит гибридные ИС: тонкопленочные, толстопленочные и т.д.

Основные особенности применения гибридных микросхем:
  • миниатюрное исполнение;
  • повышенная рассеиваемая мощность;
  • герметичность;
  • повышенная стойкость к механическим, климатическим и специальным воздействиям;
  • стоимость изготовления гибридных микросхем сравнима со сборкой печатных плат;
  • сжатые сроки разработки и поставки опытных образцов.

Более подробная информация о продукции на сайте производителя http://www.okbexiton.ru