АО «Ангстрем» – ведущий российский разработчик и производитель полупроводниковых приборов
АО «Ангстрем» — ведущий российский разработчик и производитель полупроводниковых изделий от дискретных транзисторов до современных микроконтроллеров и микропроцессоров. Компания обладаем одним из самых мощных в России комплексом по созданию и производству полупроводниковых изделий: 10 полноценных дизайн-центров, более 1000 сотрудников, две производственные линии.
ОАО «Ангстрем» располагает мощностями для производства: кристаллов ИС по КМОП-, БиКМОП- и МОП- технологиям с топологическими нормами 1.5-2.0 мкм, с одним-двумя слоями металлизации на пластинах диаметром 100 мм., кристаллов БИС и СБИС по КМОП- и БиКМОП- технологиям с топологическими нормами 0.8 - 1.2 мкм на пластинах диаметром 150 мм.
Испытательный центр «Ангстрема» внесен в российский реестр испытательных центров. Система управления качеством действует на всем протяжении жизненного цикла изделий.
АО «Ангстрем» имеет лицензии ФСБ России, разрешающие осуществление работ, связанных с использованием государственной тайны и осуществление разработки, производства, технического обслуживания и распространение шифровальных (криптографических) средств, а также лицензию №57236, выданную Федеральной службой по надзору в сфере массовых коммуникаций, связи и охраны культурного наследия, которая разрешает предоставление услуг местной телефонной связи, за исключением услуг местной телефонной связи с использованием таксофонов и средств коллективного доступа.
АО «Ангстрем» выпускает следующие виды силовых полупроводниковых приборов:
Силовые полупроводниковые приборы производства «Ангстрем» - это полностью российская разработка, выпускающаяся на кристаллах собственной разработки и не уступающая по характеристикам мировым аналогам.
| Артикул | Максимальный ток коллектора, А | Максимальное пробивное напряжение коллектор-эмиттер, В | Пороговое напряжение затвор-эмиттер, В | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | Корпус | Топология | Тип технологии | Готовность производства |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGBT-модули |
||||||||
| AnM100HBA07M | 100 | 650 | 4-7 | 3 | MPP-34 | полумост (Half Bridge) | NPT+ | Новая разработка |
| AnM150HBB12M | 150 | 1200 | 4-7 | 3 | MPP-62 | полумост (Half Bridge) | NPT+ | Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17 |
| AnM200HBEB12M | 200 | 1200 | 4-7 | 3 | MPP-62 | с общим эмиттером (Common Emitter) | NPT+ | Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17 |
| AnM150HBEB17M | 150 | 1700 | 4-7 | 3 | MPP-62 | с общим эмиттером (Common Emitter) | NPT+ | Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17 |
| AnM100LCA07M | 100 | 650 | 4-7 | 3 | MPP-34 | верхний чоппер (High side chopper) | NPT+ | Новая разработка |
| AnM200LCB12M | 200 | 1200 | 4-7 | 3 | MPP-62 | верхний чоппер (High side chopper) | NPT+ | Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17 |
| AnM200RCB17M | 200 | 1700 | 4-7 | 3 | MPP-62 | нижний чоппер (Low side chopper) | NPT+ | Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17 |
| Артикул | Максимальное повторяющееся обратное напряжение, В | Максимальный прямой ток, А | Корпус | Тип технологии | Готовность производства | |||
FRD-модули |
||||||||
| AnDM300SA12 | 1200 | 300 | MPP-34 | single diode | Опытные образцы | |||
| AnDM200CA17 | 1700 | 200 | MPP-34 | double diode with common cathode | Опытные образцы | |||
| AnDM300EA12 | 1200 | 300 | MPP-34 | double diode | Опытные образцы | |||
| Артикул | Предельно допустимое напряжение сток-исток, В | Максимально допустимый постоянный ток стока, А | Предельно допустимое напряжение затвор-исток, В | Сопротивление сток-исток открытого транзистора, Ом | Корпус | Тип технологии | Готовность производства | |
Дискретные MOSFET(P-channel) |
||||||||
| AnP32P03L | -30 | -32 | -2.2 – -0.7 | 0.04 | ТО-220 | Planar | Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17 | |
| AnP53P03 | -30 | 53 | - | 0.02 | ТО-220 | Trench | Новая разработка | |
Дискретные MOSFET(N-channel) |
||||||||
| AnP90N03 | 30 | 90 (75) | 2.0 – 4.0 | 0.005 | ТО-220 | Trench | Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17 | |
| AnR10N70 | 700 | 10 | 2.0 – 4.0 | 1 | TO-247 | Low charge | Опытные образцы | |
| Артикул | Максимальный ток коллектора, А | Максимальное пробивное напряжение коллектор-эмиттер, В | Пороговое напряжение затвор-эмиттер, В | Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В | Корпус | Топология | Тип технологии | Готовность производства |
Дискретные IGBT |
||||||||
| AnR15IGB12D | 15 | 1200 | 3.6 | 3 | TO-247 | IGBT + Inverse diode | NPT | Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17 |
| AnR75IGB12 | 75 | 1200 | 3.6 | 3.7 | TO-247 | IGBT | NPT | Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17 |
| Артикул | Прямой рабочий ток, А | Обратное напряжение, В | Время восстановления в обратное состояние, нс | Корпус | Тип технологии | Готовность производства | ||
Дискретные FRD |
||||||||
| AnP30FRD06 | 30 | 600 | 300 | TO-220 | одиночный диод (single diode) | Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17 | ||
| AnSP75FRD12 | 75 | 1200 | 300 | SOT-227 | double diode parallel | Опытные образцы | ||
| Примечание: В таблице приведены выборочные артикулы продукции. Подробнее на сайте компании http://www.angstrem.ru | ||||||||
АО «Ангстрем» выпускает следующие виды радиочастотных идентификаций:
| Артикул | Емкость встроенного ПЗУ, бит | Поддержка меток и RFID - форматов | Напряжение питания, В | Ток потребления, мА | Хост | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|
RFID-метки |
||||||
| An5530-HID | 128 | Формат № Н10301 ф. HID Global с однократной записью | - | - | - | - |
| An5530-Destron | 96 | ISO - 11784/ ISO-11785 | - | - | - | - |
| An-5507 | 512 | I-CODE | - | - | - | - |
RFID-считыватели |
||||||
| СБР-001Б | - | КИБИ-002, КИБИ-002МТ и др. формата Checkpoint | 8 | 85 | Wiegand 33 | Пыле- и брызгозащитное исполнение |
| СБР-005М | - | КИБИ-002, КИБИ-002МТ и др. формата Checkpoint + КИБИК-М и др. формата Mifare Classic 1k | 12 | 180 | Wiegand 33, RS232C | Антивандальное исполнение |
| СБР-010U | - | КИБИ-002, КИБИ-002МТ и др. формата Checkpoint | 5 | 5 | USB | - |
| СБР-015 | - | КИБИК-М и др. формата Mifare Classic 1k | 5 | 30 | USB | Пыле- и брызгозащитное исполнение |
Бесконтактные карты |
||||||
| КИБИ-001 | 64 | EM-Marin | - | - | - | - |
| КИБИ-002 (КИБИ-002М) | 64 | Checkpoint | - | - | - | - |
| КИБИ-003 | 128 | Формат № Н10301 ф. HID Global с однократной записью | - | - | - | - |
| Примечание: В таблице приведены выборочные артикулы продукции. Подробнее на сайте компании http://www.angstrem.ru | ||||||
АО «Ангстрем» производит следующие виды аналого-цифровых микросхем:
| Артикул | Рабочее напряжение, В | Напряжение питания, В | Ток потребления, мкА | Рабочий ток, мкА | Рабочая частота, кГц | Рабочая температура, °С | Температура хранения, °С |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ЖКИ-драйверы |
|||||||
| An0107 | -0.3..+7 | -19..+0.3 | 20 | 180 | 50-600 | -30..+85 | -55..+125 |
| An6863 | -0.3..+7 | - | 10 | 1000 | - | - 20..+75 | - 55..+125 |
| An6886 | -0.3..+7 | - | 100 | - | - | -30..+85 | -55..+150 |
LED-драйверы |
|||||||
| An9910 | - | - | - | - | - | -40..+85 | -65..+150 |
| An9931 | -0.3..+13.5 | - | - | - | - | -40..+85 | -65..+150 |
| Примечание: В таблице приведены выборочные артикулы продукции. Подробнее на сайте компании http://www.angstrem.ru | |||||||
АО «Ангстрем» производит микросхемы управления питанием серий: AN62, An1203, An3130, An3232, An686161С-XXXK, An8807, An8810, An8815, AnR8, n6861С-XXXN.
| Артикул | Входное напряжение, В | Ток потребления, мкА | Выходной ток, мА | Рабочая температура, °С | Температура хранения, °С |
|---|---|---|---|---|---|
| An62 | 7 | 1.6 | 500 | -10..+70 | -60..+87 |
| An3130 | 1.4..5.5 | - | 3000 | - 40..+125 | - 65..+150 |
| An8807 | 8 | - | 650 | -40..+85 | -65..+150 |
| AnR8 | -0.5..+480 | - | 20 | -40..+125 | -65..+150 |
| An6861С-XXXN | 6 | - | 50 | -40..+85 | -60..+100 |
| An8815 | 8 | - | 1500 | -40..+125 | -65..+150 |
| Примечание: В таблице приведены выборочные артикулы продукции. Подробнее на сайте компании http://www.angstrem.ru | |||||